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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
76
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
76
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
1718
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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