RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2731
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link