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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3379
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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