RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3367
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link