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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2414
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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