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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14200
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
17000
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2558
2256
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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