RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2267
3573
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link