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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2361
3138
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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