RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2091
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link