RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs INTENSO 5641160 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
INTENSO 5641160 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO 5641160 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
52
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2613
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
INTENSO 5641160 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link