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G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Compara
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
65
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,960.1
2,451.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
43
65
Velocidad de lectura, GB/s
6,465.2
4,605.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,960.1
2,451.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1087
878
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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