RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3651
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link