RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2017
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link