RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2090
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link