RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2663
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link