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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2925
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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