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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
55
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
55
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2232
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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