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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB vs Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
3.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
36
73
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
3.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2538
1004
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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