RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
37
39
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2675
2663
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link