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G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

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G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.5 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 8.5
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 40
    En -33% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.5 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 8.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2513 left arrow 2234

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