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G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
52
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
52
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2472
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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