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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
60
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
60
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2511
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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