RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
40
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2340
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link