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G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.4
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2960
3030
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
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