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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
34
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3755
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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