RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
3889
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link