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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
46
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2632
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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