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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
37
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
1949
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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