RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2470
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link