RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
39
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2159
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link