RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
4106
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link