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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2648
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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