RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2856
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link