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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
49
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3027
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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