RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
49
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3075
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link