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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3552
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
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