RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
62
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2416
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link