RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3425
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link