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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
27
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
20
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3217
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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