RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
27
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.1
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
16
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
22.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3906
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link