RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
1767
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link