Comparación de la memoria RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 34

En 21% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.3 11.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2756 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns