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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
21300
En 1.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
23400
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2935
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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