RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
42
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2595
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link