RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3480
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link