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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
3768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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