RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link