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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2354
2600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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