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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2171
2185
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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