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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

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G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 39
    En 26% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 14.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 9.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2177 left arrow 2386

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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